濺射是一種先進(jìn)的薄膜材料制備技術(shù), 它利用離子源產(chǎn)生的離子, 在真空中加速聚集成高速離子流, 轟擊固體表面, 離子和固體表面的原子發(fā)生動(dòng)能交換, 使固體表面的原子離開靶材并沉積在基材表面, 從而形成納米或微米薄膜。而被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料, 稱為濺射靶材。鎢靶材和鉬靶材可在各類基材上形成薄膜, 這種濺射膜廣泛用作電子部件和電子產(chǎn)品, 如目前廣泛應(yīng)用的TFT - LCD ( 薄膜半導(dǎo)體管-液晶顯示器)、等離子顯示屏、無機(jī)光發(fā)射二極管顯示器、場(chǎng)發(fā)射顯示器、薄膜太陽能電池、傳感器、半導(dǎo)體裝置以及具有可調(diào)諧功函數(shù)CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極等 。
近年來，作為LCD(液晶顯示)、PDP(等離子顯示)等平面顯示器的電極和配線材料的鉬系合金靶越來越受到人們的關(guān)注。在TFt-LCD中，柵電極是一個(gè)關(guān)鍵部件，以前主要是用Cr／A1作為柵電極材料，隨著平面顯示器的大型化和高精度化，對(duì)材料的比阻抗要求越來越高，鉬的比阻抗和膜應(yīng)力僅為鉻的1／2，同時(shí)，由于鉻在蝕刻過程中會(huì)產(chǎn)生六價(jià)態(tài)Cr，對(duì)環(huán)境和健康有害，因此現(xiàn)在越來越多的公司改用Mo／A1作為柵電極材料，這樣對(duì)鉬靶材的需求也就越來越大。在鉬靶材的應(yīng)用中，鉬合金的研究也越來越多，為進(jìn)一步提高純鉬在耐腐蝕性(變色)和密著性(膜的剝離)，在鉬中添加V、Nb、W、Ta則會(huì)使比電阻、應(yīng)力及耐蝕性等各種性能更好。
鉬鈮靶材正是在此種認(rèn)知基礎(chǔ)上*早被大批量運(yùn)用的鉬合金靶材材料。隨之，鉬鈮旋轉(zhuǎn)靶材的市場(chǎng)需求日益增加。鉬鈮旋轉(zhuǎn)靶材中通常鈮含量為5%或10%，通常用燒結(jié)方法制作，因鈮在燒結(jié)過程中有明顯的吸氫現(xiàn)象，通常在真空燒結(jié)設(shè)備中完成。但傳統(tǒng)的制作方法生產(chǎn)出來的鉬鈮旋轉(zhuǎn)靶材無法滿足飛速進(jìn)步的平面顯示器行業(yè)的質(zhì)量要求，我公司采用了熱等靜壓等工藝對(duì)鉬鈮旋轉(zhuǎn)靶材的性能進(jìn)行了改善，愛科麥生產(chǎn)的10%含量平面鉬鈮靶材和鉬鈮旋轉(zhuǎn)靶材密度可達(dá)9.7g/cm3 以上，其組織均勻性及純度等指標(biāo)均受到了客戶好評(píng)。
衡量靶材的質(zhì)量主要因素有 純度、致密度、晶粒尺寸及分布等。在這些方面，愛科麥投入了大量的資金和精力進(jìn)行研發(fā)并取得了顯著成效。并形成了具有以下特點(diǎn)的生產(chǎn)工藝（1）選擇高純鉬粉作為原料; ( 2)獨(dú)有的成形燒結(jié)技術(shù), 以保證靶材的低孔隙率, 并控制晶粒度; ( 3)制備過程嚴(yán)格控制雜質(zhì)元素的引入。（4）大尺寸鎢鉬材料的細(xì)晶軋制技術(shù)。（5）對(duì)部分高要求產(chǎn)品采用熱等靜壓方法，*大程度地獲得了靶材的良好性能。如此方法制得的鉬鈮旋轉(zhuǎn)靶材獲得了95％～99％的極高密度細(xì)晶粒產(chǎn)品。
此外，愛科麥生產(chǎn)近期致力于以下產(chǎn)品的研發(fā)并取得了突破：
1.產(chǎn)品大型化 生產(chǎn)出了單張尺寸規(guī)格為1 430mm *1 700mm *10 mm適合于G5代TFT鍍膜設(shè)備的鉬及鉬鉭靶材。對(duì)于更大的產(chǎn)品減少了拼接的數(shù)量。
2.為適應(yīng)市場(chǎng)提高靶材利用率需求，正在研發(fā)制造長度超過3米的燒結(jié)旋轉(zhuǎn)靶材，此種方法生產(chǎn)的鉬靶材與噴涂法相比，具有質(zhì)密的優(yōu)勢(shì)。
3.新興的鎢鈦靶材的研制